HCJT1-802SK-L11 Tab-Up 1×1 Port 8P/8C Tab-Up Skärmade RJ45 Ethernet-kontakter
HCJT1-802SK-L11Tab-Up 1×1 Port 8P/8C Tab-Up Skärmade RJ45 Ethernet-kontakter
| Kategorier | Kontakter, sammankopplingar |
| Modulära kontakter - uttag | |
| Application-LAN | ETHERNET (icke POE) |
| Anslutningstyp | RJ45 |
| Antal positioner/kontakter | 8p8c |
| Antal portar | 1×1 |
| Applikationer Hastighet | RJ45 utan magneter |
| Monteringstyp | Genom hål |
| Orientering | 90° vinkel (höger) |
| Uppsägning | Löda |
| Höjd över brädet | 13,40 mm |
| LED färg | Med LED |
| Avskärmning | Skärmad, EMI-finger |
| Funktioner | Styrelseguide |
| Flikriktning | UPP |
| Kontaktmaterial | Fosforbrons |
| Förpackning | Bricka |
| Driftstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Kontakt Material Pläteringstjocklek | Guld 6,00µin/15,00µin/30,00µin/50,00µin |
| Sköldmaterial | Mässing |
| Material för hölje | Termoplast |
| RoHS-kompatibel | JA-RoHS-5 med undantag för bly i löd |
Det finns fem förutsättningar för modellanalys
1. Multi-line modell (MLM): Lämplig för multi-pin RJ, inklusive beröringskomponenter, koppling mellan beröring och beröring, koppling mellan beröring och skärmning, koppling mellan dynor etc. Utöver de parametrar som imiteras av SLM kan den även användas för att imitera överhörning och markstuds.
2. Enkeltrådsmodell (SLM): Lämplig för enkeltråd i RJ, såsom höghastighetssignalöverföringslinje, som kan användas för att simulera reflektion, fördröjning och offset, dämpning och signalöverföringskvalitet.
3.S-parametermodell: används främst i frekvensdomänen, som kan imitera genomströmning och överhörning.Genom tidsdomänkonvertering kan impedans, överhörning, överföringsfördröjning och ögondiagram förekomma.
4. IBIS-modell: Det är ett sätt att snabbt och noggrant modellera I/O-BUFFEREN baserat på V/I-kurvan, som stöder alla typer av RJ och en mängd olika RJ-modelleringar, såsom differentiell och obalanserad signalering, SLM (utan Koppling), MLM (koppling), modell kaskad, kort-till-kort och kort-till-kabel, etc.
5. SPICE-modell: Det är ett allestädes närvarande simuleringsprogram på kretsnivå.Komponenterna i den analyserade kretsen kan innefatta resistans, kapacitans, induktans, ömsesidig induktans, oberoende spänningskälla, oberoende strömkälla, olika linjärt styrda källor, transmissionsledningar och aktiva halvledarutrustning.
